阳极ELVSSELVDDVdata7T1C · LTPS p 型CstSCAN[n-1]SCAN[n]EMT1T2T3T4T5T6T72T1C · 简化CstSCAN[n]T1T2阳极阴极SUBSTRATEBUFFERLTPS TFTPLNHILHTLETLEILCATHODECPLTFETOUCHPOLCOVER灰阶 0255电路7T1C2T1C7T1C|Vth| 0.92 V–|Vth| 1.00 V–|Vth| 1.08 V–三个相邻像素，同一灰阶T5T1T6T2T3T4T7CstSCAN[n-1]SCAN[n]EMELVDDVdataViniT1T2CstSCAN[n]ELVDDVdata
高亮 = 此刻在工作：导通的晶体管、有效的线、被选中的层。T1 只在有电流流过时才亮叠层各层（厚度为示意，已夸张）R / G / B 发光区一个工作台夹具。左边是像素驱动电路卡，可以在 7T1C 补偿电路和最简的 2T1C 电路之间切换。它只画了一个子像素的驱动：真实面板里 R、G、B 子像素各有一套，这里为了让图小一点，三块发光区都由这一套驱动。右边是一种 17 层顶发射 AMOLED 模组的示例（不是唯一的、也不是通用的叠层）：PDL 有开口的地方有机层才接触阳极，阳极经过孔（PLN 里的小柱）接到 TFT 漏极。滑块设定的是待写入灰阶：Cst 只在下一次写入阶段才会采样它，所以在发光阶段拖动滑块要等到下一次写入才有变化。前排三个相邻像素的 |Vth| 相差 ±80 mV，灰阶相同。
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模型。I = ½k·[max(Vsg − |Vth|, 0)]²，其中 Vsg = V源极 − Vgate（只要 T5 导通，源极就是 ELVDD，即发光阶段和 2T1C 的所有阶段；7T1C 写入阶段源极是 Vdata，初始化阶段源极浮空），过驱动 Vov = Vsg − |Vth|。7T1C：写入阶段把 T1 接成二极管，栅极稳定在 Vdata − |Vth|，所以 Vsg − |Vth| = ELVDD − Vdata，I = ½k(ELVDD − Vdata)²，|Vth| 被抵消。2T1C：栅极 = Vdata，|Vth| 仍留在电流里。以下是教学假设，不代表任何真实面板：平方律、T1 工作在饱和区、写入阶段充分写完、写入和发光时 ELVDD 相同；忽略沟道长度调制、迁移率离散、漏电、IR 压降、Cgd 回踢和 OLED 自身压降。并非所有 7T1C 变体都能这样精确地抵消 Vth；图中的 T 编号和扫描线名称是本图自己的约定。层厚为示意，已夸张。